三星电子计划明年在最大半导体工厂增加芯片产能

据报道，尽管明年全球经济将放缓，三星电子仍计划明年在其最大半导体工厂增加芯片产能。三星电子位于韩国平泽的P3晶圆厂将扩增DRAM设备，三星电子计划利用新的设备生产12纳米级DRAM。此外，该公司还将扩大工厂，增加4纳米芯片产能，这些芯片将根据代工合同生产。值得一提的是，今年开始生产尖端NAND闪存芯片的P3是三星电子最大的芯片生产工厂。

据报道，三星电子还决定明年将新设至少10台极紫外光刻设备(EUV)，目前数量为40台。

三星拒绝就该报道置评。

今年10月，该公司表示不考虑有意削减芯片产量，这与整个行业削减产量以满足中长期需求的趋势相反。三星存储器业务执行副总裁韩真满(HanJin-man)当时表示:“我们计划坚持原来的基础设施投资计划。”

分析师曾表示，三星坚持投资计划可能有助于其在存储芯片市场占据份额，并在需求复苏时支撑其股价。

而相比之下，由于需求下降和芯片供应过剩，竞争对手芯片制造商纷纷缩减投资。据了解，内存芯片竞争对手美光科技(MU.US)上周表示，将把2023财年的投资调整至70亿至75亿美元，而2022财年为120亿美元。该公司还表示，其将在2024财年“大幅削减资本支出”计划。

此外，台积电(TSM.US)10月份将其2022年年度投资预算削减了至少10%，并对即将到来的需求持比以往更加谨慎的态度。

现代汽车证券(HyundaiMotorSecurities)研究主管GregRoh周一表示:“芯片行业低迷将加剧排名第二及以下的芯片企业的困境，并对三星等顶级企业的市场控制产生积极影响。”