三星电子已宣布推出名为Flashbolt的第三代高带宽内存2E(HBM2E)。

 
这家韩国科技巨头表示，16GB内存的数据传输速率为3.2Gbps。
它补充说，Flashbolt将改善高性能计算系统，并帮助系统制造商改进其超级计算机，AI数据分析和图形系统。
借助Flashbolt，三星通过在缓冲芯片上堆叠八层10纳米16GB DRAM芯片，实现了3.2Gbps的吞吐量和16GB的内存。该封装还通过被称为“硅通孔”的40,000多个微孔互连。
三星表示，新产品的速度提高了1.3倍，是其前身20纳米Aquabolt的内存容量的两倍，后者于2018年推出，将巩固公司在高性能内存方面的领导地位。
该公司使用自己优化的电路设计进行信号传输，每个堆栈可提供410GB / s的内存带宽。
三星补充说，在测试过程中，Flashbolt的最大传输速度达到了4.2Gbps或每堆栈538GB / s的峰值，这也可以应用于某些“下一代应用程序”。
Flashbolt将于今年上半年开始生产。
三星是全球最大的内存半导体，由于内存市场的下滑，去年的营业利润减少了一半，但它希望今年能有所好转。